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- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
- 技术参数:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
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A1P50S65M2 技术参数详情:
- 制造商产品型号:A1P50S65M2
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
- 系列:晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态:有源
- IGBT类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):50A
- 功率-最大值:208W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A
- 电流-集电极截止(最大值):100μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies):4150pF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装:模块
- A1P50S65M2优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。
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