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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- 技术参数：TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
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L6221CD013TR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：L6221CD013TR
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：1.2A
- 电压-集射极击穿（最大值）：60V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-
- 电流-集电极截止（最大值）：-
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：-
- 功率-最大值：-
- 频率-跃迁：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- L6221CD013TR优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
