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  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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L6387ED 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:L6387ED
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:17V(最大)
  • 逻辑电压?-VIL,VIH:1.5V,3.6V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
  • 输入类型:反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):600V
  • 上升/下降时间(典型值):50ns,30ns
  • 工作温度:-45°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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