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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
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L6389ED 技术参数详情：
- 制造商产品型号：L6389ED
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压-供电：17V（最大）
- 逻辑电压?-VIL，VIH：1.1V，1.8V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：400mA，650mA
- 输入类型：反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：600V
- 上升/下降时间（典型值）：70ns，40ns
- 工作温度：-45°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- L6389ED优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
