产品参考图片
- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 技术参数：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- 丰富的ST公司产品，ST芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
PD20010-E 技术参数详情：
- 制造商产品型号：PD20010-E
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：2GHz
- 增益：11dB
- 电压-测试：13.6V
- 额定电流（安培）：5A
- 噪声系数：-
- 电流-测试：150mA
- 功率-输出：10W
- 电压-额定：40V
- 封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- PD20010-E优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
