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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 技术参数：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
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PD20010STR-E 技术参数详情：
- 制造商产品型号：PD20010STR-E
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：2GHz
- 增益：11dB
- 电压-测试：13.6V
- 额定电流（安培）：5A
- 噪声系数：-
- 电流-测试：150mA
- 功率-输出：10W
- 电压-额定：40V
- 封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- PD20010STR-E优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
