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  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 射频,封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 技术参数:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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PD20015S-E 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:PD20015S-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:LDMOS
  • 频率:2GHz
  • 增益:11dB
  • 电压-测试:13.6V
  • 额定电流(安培):7A
  • 噪声系数:-
  • 电流-测试:350mA
  • 功率-输出:15W
  • 电压-额定:40V
  • 封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • PD20015S-E优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。
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