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  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:HiP247?
  • 技术参数:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
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SCT20N120 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SCT20N120
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss):1200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):290 毫欧 @ 10A,20V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):45nC @ 20V
  • Vgs(最大值):+25V,-10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):650pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):175W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:HiP247?
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