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- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:HiP247?
- 技术参数:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
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SCT20N120AG 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SCT20N120AG
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:Automotive, AEC-Q101
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss):1200V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):239毫欧 @ 10A,20V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):45nC @ 20V
- Vgs(最大值):+25V,-10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):650pF @ 400V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):153W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:HiP247?
- SCT20N120AG优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。
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