- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:-
- 技术参数:PTD WBG & POWER RF
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SCTH50N120-7 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SCTH50N120-7
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:PTD WBG & POWER RF
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:-
- 技术:-
- 漏源电压(Vdss):-
- 25°C时电流-连续漏极(Id):-
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):-
- 工作温度:-
- 安装类型:-
- 器件封装:-
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