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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：HiP247?
- 技术参数：SICFET N-CH 650V 45A HIP247
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SCTW35N65G2V 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SCTW35N65G2V
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：SICFET N-CH 650V 45A HIP247
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：67毫欧 @ 20A，20V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 20V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：240W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：HiP247?
- SCTW35N65G2V优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
