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  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:D2PAK
  • 技术参数:MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
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STB5N62K3 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STB5N62K3
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SuperMESH3?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):620V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4.2A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.6 欧姆 @ 2.1A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):26nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):680pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):70W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D2PAK
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