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STF12NK65Z 图片
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:单端场效应管,TO-220FP
  • 技术参数:MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
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STF12NK65Z 技术参数详情:
  • ST意法半导体公司完整型号:STF12NK65Z
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
  • 系列:SuperMESH?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):700 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):62.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1837pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:35W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
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