产品参考图片
- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：单端场效应管，TO-220FP
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
- 丰富的ST公司产品，ST芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
STF12NK65Z 技术参数详情：
- ST意法半导体公司完整型号：STF12NK65Z
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
- 系列：SuperMESH?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：62.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1837pF @ 25V
- 功率 - 最大值：35W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：TO-220FP
- STF12NK65Z优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
