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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
- 技术参数：IGBT 420V 30A 150W I2PAK
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STGB18N40LZ-1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGB18N40LZ-1
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 420V 30A 150W I2PAK
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：PowerMESH?
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：420V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：40A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，10A
- 功率-最大值：150W
- 开关能量：-
- 输入类型：逻辑
- 栅极电荷：29nC
- 25°C时Td（开/关）值：650ns/13.5μs
- 测试条件：300V，10A，5V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
- STGB18N40LZ-1优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
