产品参考图片
- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
- 技术参数：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
- 丰富的ST公司产品，ST芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
STGB30H65DFB2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGB30H65DFB2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：HB2
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：90A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
- 功率-最大值：167W
- 开关能量：270μJ（开），310μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：90nC
- 25°C时Td（开/关）值：18.4ns/71ns
- 测试条件：400V，30A，6.8 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：115ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
- STGB30H65DFB2优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
