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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术参数：IGBT 600V 18A 60W DPAK
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STGD10NC60SDT4 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGD10NC60SDT4
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 18A 60W DPAK
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：PowerMESH?
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：18A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：25A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，5A
- 功率-最大值：60W
- 开关能量：60μJ（开），340μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：18nC
- 25°C时Td（开/关）值：19ns/160ns
- 测试条件：390V，5A，10欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：22ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- STGD10NC60SDT4优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
