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  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 技术参数:IGBT 600V 18A 60W DPAK
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STGD10NC60SDT4 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STGD10NC60SDT4
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):18A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):25A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:60W
  • 开关能量:60μJ(开),340μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:18nC
  • 25°C时Td(开/关)值:19ns/160ns
  • 测试条件:390V,5A,10欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):22ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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