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- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 技术参数:IGBT 420V 25A 125W DPAK
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STGD18N40LZT4 技术参数详情:
- 制造商产品型号:STGD18N40LZT4
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?
- 零件状态:有源
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):420V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):25A
- 电流-集电极脉冲(Icm):40A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,10A
- 功率-最大值:125W
- 开关能量:-
- 输入类型:逻辑
- 栅极电荷:29nC
- 25°C时Td(开/关)值:650ns/13.5μs
- 测试条件:300V,10A,5V
- 反向恢复时间(trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- STGD18N40LZT4优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。
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