- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 技术参数:IGBT 600V 15A 56W DPAK
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STGD6NC60HT4 技术参数详情:
- 制造商产品型号:STGD6NC60HT4
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:PowerMESH?
- 零件状态:停产
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):15A
- 电流-集电极脉冲(Icm):21A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A
- 功率-最大值:56W
- 开关能量:20μJ(开),68μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:13.6nC
- 25°C时Td(开/关)值:12ns/76ns
- 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- STGD6NC60HT4优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。