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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
- 技术参数：IGBT 600V 7A 24W TO220FP
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STGF8NC60KD 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGF8NC60KD
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 7A 24W TO220FP
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：PowerMESH?
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：7A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：30A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，3A
- 功率-最大值：24W
- 开关能量：55μJ（开），85μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：19nC
- 25°C时Td（开/关）值：17ns/72ns
- 测试条件：390V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：23.5ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-220-3 整包
- STGF8NC60KD优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
