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- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:单路IGBT,TO-220
- 技术参数:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
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STGP30H65F 技术参数详情:
- ST意法半导体公司完整型号:STGP30H65F
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
- 系列:-
- IGBT 类型:沟道和场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A
- Current - Collector Pulsed (Icm):120A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,30A
- 功率 - 最大值:260W
- Switching Energy:350μJ (开), 400μJ (关)
- 输入类型:标准
- Gate Charge:105nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/160ns
- Test Condition:400V, 30A, 10 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 封装/外壳:TO-220-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- STGP30H65F优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。
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