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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：单路IGBT，TO-220
- 技术参数：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
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STGP30H65F 技术参数详情：
- ST意法半导体公司完整型号：STGP30H65F
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
- 系列：-
- IGBT 类型：沟道和场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：260W
- Switching Energy：350μJ （开）， 400μJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：105nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：50ns/160ns
- Test Condition：400V, 30A, 10 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 封装/外壳：TO-220-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220
- STGP30H65F优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
