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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
- 技术参数：IGBT 600V 55A 175W TO220
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STGP30NC60S 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGP30NC60S
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 55A 175W TO220
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：PowerMESH?
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：55A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：150A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，20A
- 功率-最大值：175W
- 开关能量：300μJ（开），1.28mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：96nC
- 25°C时Td（开/关）值：21.5ns/180ns
- 测试条件：480V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-220-3
- STGP30NC60S优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
