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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：通孔
- 技术参数：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V
- 丰富的ST公司产品，ST芯片采购平台
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STGP8M120DF3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGP8M120DF3
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：管件
- 零件状态：-
- IGBT类型：有源
- 电压-集射极击穿（最大值）：沟槽型场截止
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：1200V
- 电流-集电极脉冲(Icm)：16A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：32A
- 功率-最大值：2.3V @ 15V，8A
- 开关能量：-
- 输入类型：390μJ（开），370μJ（关）
- 栅极电荷：标准
- 25°C时Td（开/关）值：32nC
- 测试条件：20ns/126ns
- 反向恢复时间(trr)：600V，8A，33 欧姆，15V
- 工作温度：103ns
- 安装类型：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 封装：通孔
- STGP8M120DF3优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
