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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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STGW10M65DF2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGW10M65DF2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：M
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：40A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，10A
- 功率-最大值：115W
- 开关能量：120μJ（开），270μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：28nC
- 25°C时Td（开/关）值：19ns/91ns
- 测试条件：400V，10A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：96ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- STGW10M65DF2优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
