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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：IGBT - 单路，TO-247-3
- 技术参数：IGBT 1200V 25A TO247
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STGW25S120DF3 技术参数详情：
- ST意法半导体公司完整型号: STGW25S120DF3
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 功能总体简述: IGBT 1200V 25A TO247
- 系列: -
- IGBT 类型: 沟道和场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 50A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm): 100A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值: 375W
- 开关能量: 830μJ（开），2.37mJ（关）
- 输入类型: 标准
- 栅极电荷: 80nC
- 25°C 时 Td（开/关）值: 31ns/147ns
- 测试条件: 600V，25A，15欧姆，15V
- 反向恢复时间（trr）: 265ns
- 封装/外壳: TO-247-3
- 安装类型: 通孔
- 供应商器件封装: TO-247-3
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