产品参考图片
- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 1200V 40A HS TO-247
- 丰富的ST公司产品，ST芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
STGW40H120F2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGW40H120F2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 1200V 40A HS TO-247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：160A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，40A
- 功率-最大值：468W
- 开关能量：1mJ（开），1.32mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：158nC
- 25°C时Td（开/关）值：18ns/152ns
- 测试条件：600V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- STGW40H120F2优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
