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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 1200V 80A 240W TO247
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STGW40N120KD 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGW40N120KD
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 1200V 80A 240W TO247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：PowerMESH?
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.85V @ 15V，30A
- 功率-最大值：240W
- 开关能量：3.7mJ（开），5.7mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：126nC
- 25°C时Td（开/关）值：48ns/338ns
- 测试条件：960V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：84ns
- 工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- STGW40N120KD优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
