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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-4
- 技术参数：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
- 丰富的ST公司产品，ST芯片采购平台
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STGW75H65DFB2-4 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STGW75H65DFB2-4
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：HB2
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：115A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：225A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，75A
- 功率-最大值：357W
- 开关能量：992μJ（开），766μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：207nC
- 25°C时Td（开/关）值：22ns/121ns
- 测试条件：400V，75A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：88ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-4
- STGW75H65DFB2-4优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
