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- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
- 技术参数:IGBT TRENCH 650V 80A TO247
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STGWA40H65DFB 技术参数详情:
- 制造商产品型号:STGWA40H65DFB
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:IGBT TRENCH 650V 80A TO247
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:HB
- 零件状态:有源
- IGBT类型:沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):80A
- 电流-集电极脉冲(Icm):160A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
- 功率-最大值:283W
- 开关能量:498μJ(开),363μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210nC
- 25°C时Td(开/关)值:40ns/142ns
- 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):62ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-247-3
- STGWA40H65DFB优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。
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