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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I2PAK（TO-262）
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
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STI30NM60N 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STI30NM60N
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh? II
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：91nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2700pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAK（TO-262）
- STI30NM60N优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
