- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerVDFN
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
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STL13DP10F6 技术参数详情:
- 制造商产品型号:STL13DP10F6
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:DeepGATE?, STripFET? VI
- 零件状态:有源
- FET类型:2 个 P 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):13A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 1.7A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):16.5nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):864pF @ 25V
- 功率-最大值:62.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-PowerVDFN
- STL13DP10F6优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。