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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
- 丰富的ST公司产品，ST芯片采购平台
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STL8DN6LF3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STL8DN6LF3
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET? III
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 4A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：668pF @ 25V
- 功率-最大值：65W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerVDFN
- STL8DN6LF3优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
