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- 制造厂商:ST(意法半导体)
- 类别封装:单端场效应管,TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
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STP11NM65N 技术参数详情:
- ST意法半导体公司完整型号:STP11NM65N
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- 系列:MDmesh II
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):650V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):455 毫欧 @ 5.5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 50V
- 功率 - 最大值:110W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
- STP11NM65N优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。
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