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- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
- 丰富的ST公司产品，ST芯片采购平台
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STS5DP3LLH6 技术参数详情：
- 制造商产品型号：STS5DP3LLH6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：DeepGATE?, STripFET? H6
- 零件状态：停产
- FET类型：2 个 P 沟道（双）
- FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：639pF @ 25V
- 功率-最大值：2.7W
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- STS5DP3LLH6优势代理货源，国内领先的ST芯片采购服务平台。
