STU7N65M2 技术参数详情:
- 制造商产品型号:STU7N65M2
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:MDmesh?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.15 欧姆 @ 2.5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):9nC @ 10V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):270pF @ 100V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):60W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:IPAK(TO-251)
- STU7N65M2优势代理货源,国内领先的ST芯片采购服务平台。