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- 制造厂商:三星半导体
- 类别封装:双倍数据率同步动态随机存储器,78FBGA
- 技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
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K4A4G085WE-BIWE 技术参数详情:
- 三星芯片型号:K4A4G085WE-BIWE
- 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
- 容量:4Gb
- 架构:512M x 8
- 速率:3200 Mbps
- 工作电压:1.2 V
- 工作温度:-40 ~ 95 °C
- 封装:78FBGA
- 产品状态:批量生产
- K4A4G085WE-BIWE优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
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