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K4A8G165WB-BCTD 图片
  • 制造厂商:三星半导体
  • 类别封装:双倍数据率同步动态随机存储器,96FBGA
  • 技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
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K4A8G165WB-BCTD 技术参数详情:
  • 三星芯片型号:K4A8G165WB-BCTD
  • 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:8Gb
  • 架构:512M x 16
  • 速率:2666 Mbps
  • 工作电压:1.2 V
  • 工作温度:0 ~ 85 °C
  • 封装:96FBGA
  • 产品状态:批量生产
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