- 制造厂商:三星半导体
- 类别封装:双倍数据率同步动态随机存储器,78FBGA
- 技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
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- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
K4B1G0846I-BCK0 技术参数详情:
- 三星芯片型号:K4B1G0846I-BCK0
- 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
- 容量:1Gb
- 架构:128M x 8
- 速率:1600 Mbps
- 工作电压:1.5 V
- 工作温度:0 ~ 85 °C
- 封装:78FBGA
- 产品状态:批量生产
- K4B1G0846I-BCK0优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。