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K4B2G1646C-HCH9
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4B2G1646C-HCH9 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4B2G1646C-HCH9
存储器结构:
速度:
电源电压:
包装:
环保标准:
K4B2G1646C-HCH9
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CIGT201210UH2R2MNE
CL10C331JB8NFNC
K4M51163PC-BG75
RC2012J201CS
CL05B271KB5NNNC
RC2012J391CS
RC1005F30R1CS
CL21B104KOANNND
RC1608F180CS
CL03C2R2BA3GNNH
CIM05J182NC
KM62U256CLG-10L
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