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- 制造厂商：三星半导体
- 类别封装：双倍数据率同步动态随机存储器，78FBGA
- 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
- 丰富的三星半导体公司产品，三星半导体芯片采购平台
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K4B4G0846D-BYH9 技术参数详情：
- 三星芯片型号：K4B4G0846D-BYH9
- 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
- 容量：4Gb
- 架构：512M x 8
- 速率：1333 Mbps
- 工作电压：1.35 V
- 工作温度：0 ~ 85 °C
- 封装：78FBGA
- 产品状态：批量生产
- K4B4G0846D-BYH9优势代理货源，国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
