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K4B4G0846R-BHMA 图片
  • 制造厂商:三星半导体
  • 类别封装:双倍数据率同步动态随机存储器,78FBGA
  • 技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
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K4B4G0846R-BHMA 技术参数详情:
  • 三星芯片型号:K4B4G0846R-BHMA
  • 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:4Gb
  • 架构:512M x 8
  • 速率:1866 Mbps
  • 工作电压:1.35 V
  • 工作温度:-40 ~ 105 °C
  • 封装:78FBGA
  • 产品状态:批量生产
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