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- 制造厂商：三星半导体
- 类别封装：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器，200FBGA
- 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
- 丰富的三星半导体公司产品，三星半导体芯片采购平台
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K4FBE3D4HM-MGCJ 技术参数详情：
- 三星芯片型号：K4FBE3D4HM-MGCJ
- 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
- 容量：32Gb
- 架构：x32
- 速率：3733 Mbps
- 工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V
- 工作温度：-25 ~ 85 °C
- 封装：200FBGA
- 产品状态：批量生产
- K4FBE3D4HM-MGCJ优势代理货源，国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
