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- 制造厂商:三星半导体
- 类别封装:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器,200FBGA
- 技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
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K4FHE3D4HA-GUCL 技术参数详情:
- 三星芯片型号:K4FHE3D4HA-GUCL
- 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
- 容量:24Gb
- 架构:x32
- 速率:3733 Mbps
- 工作电压:1.8 / 1.1 / 1.1 V
- 工作温度:-40 ~ 125 °C
- 封装:200FBGA
- 产品状态:批量生产
- K4FHE3D4HA-GUCL优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
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