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K4H280838D-TCB3
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4H280838D-TCB3 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4H280838D-TCB3
存储器结构:16Mx8
速度:0.7ns
电源电压:2.5V
包装:TSOP-II
环保标准:不符合RoHS标准
K4H280838D-TCB3
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K9F5608U0DJIB0
RP164PJ220CS
SPHWHAHDND27YZR3H4
CIS10P101AC
CL31C181JHFNNNE
CL31B105KBHNNNF
RC1608F3401CS
RC1608J335CS
RC2012J3R6CS
CL31C330JHFNNNF
CL10C101JB81PNC
SPHWW1HDNC25YHU3B3
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