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产品参考图片
K4H511638B-UCB3
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4H511638B-UCB3 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4H511638B-UCB3
存储器结构:32Mx16
速度:0.7ns
电源电压:2.5V
包装:TSOP-II
环保标准:
K4H511638B-UCB3
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RC1608J515CS
SPMWHT541MD5WAVHS2
SPHWHAHDNA27YZT3D3
K3PE4E400P-XGC2
SPHWHAHDNB25YZV3F3
KM68V4000CLG-7L
K6X4008C1F-BB55
CL05A224MP5NNNC
CIG22L3R3MNE
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