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K4H511638CUCB3
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4H511638CUCB3 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4H511638CUCB3
存储器结构:512M
速度:0.7ns
电源电压:2.5V
包装:TSOPⅡ
环保标准:符合RoHS标准
K4H511638CUCB3
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SPHWW1HDNE25YHV34J
RC3216J910CS
RC2012F47R5CS
SPHWHAHDNK25YZT2DB
SPHWHAHDNG28YZU2D2
SPHCW1HDNA25YHR31F
RC3216J180CS
CIM10J221NC
CIL10J3R9KNC
CL21B155KAFNNNG
K4H510838B-TCCC
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