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产品参考图片
K4H511638D-JCB0T
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4H511638D-JCB0T 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4H511638D-JCB0T
存储器结构:
速度:
电源电压:
包装:
环保标准:
K4H511638D-JCB0T
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RC3216J221CS
CL10B474KP8NNND
CL21C7R5DBANNNC
CL10C3R3CB8ANNC
CL10C180JB81PNC
CL31B475KAHNNNF
SPHWHAHDNH23YZR3D3
SPHWHTL3D305E6VPG4
SPHWHAHDNH25YZV3D3
CL05A475KP5NRNC
K4M56323PN-HG60
RF062PJ360CS
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