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K4H511638D-JCB0T
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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K4H511638D-JCB0T 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4H511638D-JCB0T
存储器结构:
速度:
电源电压:
包装:
环保标准:
K4H511638D-JCB0T
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CL10B474KP8NNND
CL21C7R5DBANNNC
CL10C3R3CB8ANNC
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