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K4H511638D-UCB3
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4H511638D-UCB3 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4H511638D-UCB3
存储器结构:32Mx16
速度:0.7ns
电源电压:2.5V
包装:TSOP-II
环保标准:
K4H511638D-UCB3
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K4E160411C-FL60
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