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K4H560438D-GCB3
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4H560438D-GCB3 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4H560438D-GCB3
存储器结构:64Mx4
速度:0.7ns
电源电压:2.5V
包装:FBGA
环保标准:不符合RoHS标准
K4H560438D-GCB3
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RC1608F113CS
CIH02T3N4BNC
SPHWHAHDNA25YZT3DB
SPHWHAHDND27YZU3D1
M377S6450BT3-C1L
CL10C122JB8NNNC
SPHWW1HDNB28YHV31F
CL32C113JBHNNNE
K4H561638F-TCB3
CIG22HR33MAE
K4S513233F-EF75
K7N401801B-QC13000
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