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K4R271669E-TCS8
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4R271669E-TCS8 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4R271669E-TCS8
存储器结构:8Mx16
速度:45ns
电源电压:2.5V
包装:WBGA
环保标准:
K4R271669E-TCS8
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
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CL21F103ZBANNNC
K6X1008C2D-GF70T00
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SPHWHAHDNC25YZT3H2
K9K1G08U0A-YIB0
K9G4G08U0B-PIB0
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K4D263238E-VC45
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