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产品参考图片
K4R271669FTCS8
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
K4R271669FTCS8 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4R271669FTCS8
存储器结构:128M
速度:45ns
电源电压:2.5V
包装:TSOPⅡ
环保标准:不符合RoHS标准
K4R271669FTCS8
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
CL10A474KO8NNNC
SPHWHAHDNL231ZT3R1
SI-B8R261280WW
SPMWHT223MD7WAUMS0
K4M56163PG-BG75
RC1608F6811CS
SI-B9U071280WW
RC1608F5232CS
SPMWHT541MD5WAVMSB
CL02C470JO2ANNC
CL10B471KB8NNNL
SI-B8V15156CWW
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